Samsung объявил о запуске высокопроизводительной флэш-памяти
12 мая 2011 г.Samsung объявила о запуске производства инновационных микрочипов флэш-памяти.
Новинка отличается тем, что с ее помощью возможно передавать данные на высочайшей скорости по сравнению с
существующими на рынке аналогами, сообщает Bernama.
Объем памяти 64 Гб, также "флэшка" оборудована интерфейсом DDR 2.0, благодаря которому можно передавать
данные с пропускной способностью 400 мегабит в секунду.
Новинка отличается тем, что с ее помощью возможно передавать данные на высочайшей скорости по сравнению с
существующими на рынке аналогами, сообщает Bernama.
Объем памяти 64 Гб, также "флэшка" оборудована интерфейсом DDR 2.0, благодаря которому можно передавать
данные с пропускной способностью 400 мегабит в секунду.